Материалы электронной техники

ФОСФИН ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (РН₃)

Используется для выращивания гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация фосфина по чистоте: 99,99994

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Содержание воды (Н2О),

ppm (% объемные), не более

0,1 (1·10-5)

Содержание окиси углерода (СО),

ppm (% объемные), не более

0,1 (1·10-5)

Содержание двуокиси углерода  (СО2),

ppm (% объемные), не более

0,1 (1·10-5)

Предельное содержание органических примесей:

- метана (CH4)

ppm (% объемные), не более

0,1 (1·10-5)

- этана (C2H6)

ppm (% объемные), не более

0,05 (5·10-6)

- этилена (C2H4)

ppm (% объемные), не более

0,05 (5·10-6)

- пропана (C3H8)

ppm (% объемные), не более

0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание кислорода и аргона (О2 + Ar)

ppm (% объемные), не более

0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание металлов (Fe, Co, Ni, Cu, Mn, Ca, Mg)

% весовые, не более

0,1 (1·10-5)

 

 

АММИАК ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (NН₃)

Применяется для выращивания эпитаксиальных гетероструктур полупроводниковых соединений А3В5 и приборов на их основе.

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация аммиака по чистоте: 99,99994

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Содержание воды (Н2О),

ppm (% объемные), не более

 0,20 (2·10-5)

Содержание двуокиси углерода  (СО2),

ppm (% объемные), не более

 0,10 (1·10-5)

Предельное содержание органических примесей: 

- метана (CH4)

ppm (% объемные), не более

 0,10 (1·10-5)

- этана (C2H6)

ppm (% объемные), не более

 0,03 (3·10-6)

- этилена (C2H4)

ppm (% объемные), не более

 0,03 (3·10-6)

- пропана (C3H8)

ppm (% объемные), не более

 0,05 (5·10-6)

Содержание кислорода (О2)

ppm (% объемные), не более

 0,04 (4·10-6)

Содержание сероводорода (Н2S)

% весовые, не более

 0,05 (5·10-6)

 

 

АРСИН ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (AsH3)

Арсин высокой чистоты предназначен для выращивания гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5, применяемых при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем.

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация арсина по чистоте: 99,99994

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Содержание воды (Н2О)

ppm (% объемные)

не более  0,1 (1·10-5)

Содержание окиси углерода (СО)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Содержание двуокиси углерода  (СО2)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Предельное содержание  метана (CH4)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Предельное содержание этана (C2H6)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Предельное содержание этилена (C2H4)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Предельное содержание пропана (C3H8)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание кислорода и аргона  (О2 + Ar)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание металлов (Fe, Co, Ni, Cu, Мn, Ca, Mg)

 % весовые

не более 0,1 (1·10-5)

 

 

МОНОСИЛАН  ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (SiH4)

Моносилан высокочистый, предназначен для выращивания гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5, применяемых при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем, а также для выращивания высокочистого поликристаллического кремния

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация моносилана по чистоте: 99,99994

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Содержание воды (Н2О)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Содержание окиси углерода (СО)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Содержание двуокиси углерода (СО2)

ppm (% объемные)

не более 0,1 (1·10-5)

Предельное содержание метана (CH4)

ppm (% объемные)

не более.0,1 (1·10-5)

Предельное содержание этана (C2H6)

ppm (% объемные)

не более0,05 (5·10-6)

Предельное содержание этилена (C2H4)

ppm (% объемные)

не более.0,05 (5·10-6)

Предельное содержание пропана (C3H8)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание кислорода и аргона (О2+Ar)

ppm (% объемные)

не более 0,05 (5·10-6)

Суммарное содержание металлов (Fe, Co, Ni, Cu, Mn, Ca, Mg)

% весовых

не более  1,0·10-5

Удельное сопротивление кремния, полученного из моносилана


Ом·см

более   500

 

 

ТЕТРАХЛОРИД КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (Si[Cl4]3)

Для выращивания эпитаксиальных структур кремния

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация тетрахлорида кремния по чистоте: 99,99994

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Предельное содержание хлорорганических примесей (С1 – С3):

Трихлорметан (CHCl3); дихлорэтан (C2H4Cl2 и др.)

вес.%, не более

1·10-5

Содержание трихлорсилана (SiHCl3)

вес.%, не более

2·10-5

Суммарное содержание металлов

Fe, Co, Ni, Cu, Mn, Ca, Mg, Cr

вес.%, не более

1·10-5

Содержание твердых взвешенных микрочастиц   (диаметр ≤ 1 мкм)

в 1 см3, не более

1∙104  

Удельное сопротивление кремния, полученного из тетрахлорида кремния

Ом∙см, более

500

 

ТРЕХХЛОРИСТЫЙ МЫШЬЯК ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (AsCl3)

Треххлористый мышьяк высокочистый предназначен для выращивания эпитаксиальных структур арсенида галлия.

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали объемом 1-20 л.

Квалификация треххлористого мышьяка по чистоте: 99,99999

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Предельное содержание хлорорганических примесей:

 -  трихлорметана (CHCl3)

вес.%, не более

1·10-5

 -  дихлорэтана (C2H4Cl2)

вес.%, не более

1·10-5

Содержание тетрахлорида кремния (SiCl4)

вес.%, не более

5·10-5

Суммарное содержание металлов (Fe, Co, Ni, Cu, Mn, Ca, Mg)

вес.%, не более

2·10-5

 

 

ТРИМЕТИЛАЛЮМИНИЙ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (Al(CH3)3)

Триметилалюминий  используется для создания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединий А3В5 методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD)

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали массой 200 г

Квалификация триметилалюминия по чистоте: 99,999

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Массовая доля  примеси в высокочистом ТМА:

барий (Ba)

%

2∙10-5

кадмий (Cd)

%

6∙10-5

хром (Cr)

%

4∙10-5

медь (Cu)

%

6∙10-5

железо (Fe)

%

4∙10-5

магний (Mg)

%

1∙10-5

марганец (Mn)

%

4∙10-5

никель (Ni)

%

1,2∙10-4

свинец (Pb)

%

2∙10-5

кремний (Si)

%

1∙10-5

олово (Sn)

%

2∙10-5

титан (Ti)

%

1∙10-4

 

ТРИМЕТИЛГАЛЛИЙ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (Ga(CH3)3)

Триметилгаллий используется для создания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5 методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD)

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали массой 200 г

Квалификация триметилгаллия по чистоте: 99,999

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Массовая доля  примеси в высокочистом ТМГ:

алюминий (Al)

%

не более 4∙10-5

барий (Ba)

%

не более 2∙10-5

кальций (Cа)

%

не более  1∙10-5

кадмий (Cd) 2∙10-5

%

не более  2∙10-5

хром (Cr)

%

не более   2∙10-5

медь (Cu)

%

не более   4∙10-5

железо (Fe)

%

не более   2∙10-5

германий (Ge)

%

не более 1∙10-5

йод (I)

%

не более 1∙10-4

магний (Mg)

%

не более 1∙10-5

марганец (Mn)

%

не более 2∙10-5

натрий (Na)

%

не более 2∙10-4

никель (Ni)

%

не более 1∙10-4

свинец (Pb)

%

не более 2∙10-5

кремний (Si)

%

не более 6∙10-6

олово (Sn)

%

не более 1∙10-5

титан (Ti)

%

не более 2∙10-5

цинк (Zn)

%

не более 4∙10-5

 

ТРИМЕТИЛИНДИЙ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ (In(CH3)3)

Триметилиндий используется для создания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5 методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD)

Упаковка: баллоны из нержавеющей стали массой 200 г

Квалификация триметилиндия по чистоте: 99,999

ТЕХНИЧЕСКИЕ  ХАРАКТЕРИСТИКИ

Массовая доля  примеси в высокочистом ТМИ:

алюминий (Al)

%

не более 4∙10-5

барий (Ba)

%

не более 1∙10-5

кальций (Cа)

%

не более 2∙10-5

кадмий (Cd) 2∙10-5

%

не более  2∙10-5

хром (Cr)

%

не более   2∙10-5

медь (Cu)

%

не более   4∙10-5

железо (Fe)

%

не более   4∙10-5

германий (Ge)

%

не более 1∙10-5

йод (I)

%

не более 1∙10-4

магний (Mg)

%

не более 1∙10-5

марганец (Mn)

%

не более 2∙10-5

натрий (Na)

%

не более 2∙10-4

никель (Ni)

%

не более 1,2∙10-4

свинец (Pb)

%

не более 6∙10-5

кремний (Si)

%

не более 1∙10-6

олово (Sn)

%

не более 2∙10-5

титан (Ti)

%

не более 2∙10-5

цинк (Zn)

%

не более 4∙10-5

ВЕРНУТЬСЯ К НАЧАЛУ СТАТЬИ